[发明专利]一种超宽带低损耗高隔离的全差分结构射频开关有效

专利信息
申请号: 202110614004.9 申请日: 2021-06-02
公开(公告)号: CN113300694B 公开(公告)日: 2021-10-22
发明(设计)人: 高志强;王蒙 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: H03K17/689 分类号: H03K17/689
代理公司: 哈尔滨龙科专利代理有限公司 23206 代理人: 李智慧
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 发明公开了一种超宽带低损耗高隔离的全差分结构射频开关,所述全差分结构射频开关由第一CMOS传输门TR_GATE1、第二CMOS传输门TR_GATE2、第三CMOS传输门TR_GATE3和第四CMOS传输门TR_GATE4四个CMOS传输门组成,其中:所述第一CMOS传输门TR_GATE1和第四CMOS传输门TR_GATE4组成主传输通路,第二CMOS传输门TR_GATE2和第三CMOS传输门TR_GATE3组成交叉传输通路。本发明的射频开关实现了工作带宽大、低插入损耗、高隔离度,转换时间很短,并且线性度较高,功率处理能力强。
搜索关键词: 一种 宽带 损耗 隔离 全差分 结构 射频 开关
【主权项】:
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