[发明专利]相变存储器及相变存储器的制作方法在审
| 申请号： | 202110614419.6 | 申请日： | 2021-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN113437213A | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 彭文林;刘峻;杨海波;刘广宇;付志成 | 申请（专利权）人： | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 张雪;张颖玲 |
| 地址： | 430014 湖北省武汉市东湖新技术开发区*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本公开实施例公开了一种相变存储器及其制作方法。所述相变存储器包括：相变存储单元；所述相变存储单元，包括：由上至下依次层叠设置的第一电极层、相变存储层和第二电极层；其中，所述第一电极层和所述相变存储层之间形成的第一接触界面，用于抑制所述第一电极层的组成粒子与所述相变存储层的组成粒子之间的迁移；所述第二电极层和所述相变存储层之间形成的第二接触界面，用于抑制所述第二电极层的组成粒子与所述相变存储层的组成粒子之间的迁移。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 制作方法 | ||
【主权项】：
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