[发明专利]半导体腔室的进排气结构和半导体腔室有效
| 申请号： | 202110615511.4 | 申请日： | 2021-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN113445123B | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 武平伟 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;C30B25/14;C30B25/08;C30B25/12;C23C16/455;C23C16/458 |
| 代理公司： | 北京思创毕升专利事务所 11218 | 代理人： | 孙向民;廉莉莉 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体腔室的进排气结构和半导体腔室，其中进排气结构设置于半导体腔室的上下盖之间，其特征在于，进排气结构包括：环形主体和朝向半导体腔室内部延伸设置的环形支撑部，其中，环形支撑部的内缘用于承载半导体腔室的预热环，且环形支撑部的上方为上腔室，环形支撑部的下方为下腔室；环形主体具有向上腔室通气的进气通道以及将上腔室气体排出的排气通道；环形支撑部靠近排气通道的一侧具有连通上腔室和下腔室的纵向贯穿孔，下腔室中的气体经纵向贯穿孔沿排气通道排出。本发明纵向贯通孔与排气通道距离更近，压力更低，下腔室的氢气会趋向于流向压力更低的纵向贯通孔，避免出现下腔室的氢气与工艺气体碰撞产生紊流的情况。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 排气 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
