[发明专利]一种半导体器件表面金属化工艺在审
| 申请号： | 202110616313.X | 申请日： | 2021-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN113584484A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 黄亚发;张俊 | 申请（专利权）人： | 江苏东晨电子科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C28/02 | 分类号： | C23C28/02;C23C14/16;C23C14/24;C23C18/36;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京思创大成知识产权代理有限公司 11614 | 代理人： | 高爽 |
| 地址： | 214205 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件表面金属化工艺，该工艺包括以下步骤：S1、对待金属化的硅片进行表面处理；S2、对表面处理后的硅片进行化学镀镍处理，在硅表面形成镍磷金属层；S3、将带有镍磷金属层的硅片放入高温炉中，通入保护气体进行高温合金，在硅片表面形成合金层；S4、采用蒸发银工艺对带有合金层的硅片进行真空蒸发，在合金层外形成银金属层，完成金属化工艺。本发明通过化学镀和蒸发镀银两者工艺结合，利用化学镀成本低的优势结合上蒸发工艺环境污染小，表面金属稳定性好，安全生产风险低等优势来实现半导体器件表面金属化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 表面 金属化 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏东晨电子科技有限公司，未经江苏东晨电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110616313.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
