[发明专利]一种FeCoNiCrTiV高熵合金薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 202110618585.3 | 申请日： | 2021-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN113355580A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 杨晓雨 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | C22C30/00 | 分类号： | C22C30/00;C23C14/02;C23C14/16;C23C14/35 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人： | 乔恒婷 |
| 地址： | 242000 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种FeCoNiCrTiV高熵合金薄膜及其制备方法，其中FeCoNiCrTiV高熵合金薄膜的组元为Fe、Co、Ni、Cr、Ti、V，各组元按照等摩尔比构成即为：Fe：Co：Ni：Cr：Ti：V＝1:1:1:1:1:1；所述FeCoNiCrTiV高熵合金薄膜呈非晶态结构，厚度为176nm～200nm。本发明利用磁控溅射复合靶在硅基底材料表面沉积获得FeCoNiCrTiV高熵合金薄膜，薄膜厚度均匀，具有很好的耐酸碱腐蚀性，同时具有磁滞回线偏移现象，扩展了高熵合金薄膜的应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 feconicrtiv 合金 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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