[发明专利]双MCU隔离驱动MOS管的电路在审
申请号: | 202110622182.6 | 申请日: | 2021-06-04 |
公开(公告)号: | CN113422499A | 公开(公告)日: | 2021-09-21 |
发明(设计)人: | 张杰;孟宪策;杨亿;张淼;马天宇 | 申请(专利权)人: | 浙江亚太机电股份有限公司 |
主分类号: | H02M1/088 | 分类号: | H02M1/088;H02M1/44;H02P7/298;H02H9/00 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 林超 |
地址: | 311203 浙江省杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种双MCU隔离驱动MOS管的电路。包括控制驱动模块M1、推挽输出电路M2、二极管信号隔离模块M3、MOS关断快速放电模块M4、低边MOS管驱动电机模块M5;两个MCU都能控制同一个低边MOS管来驱动电机;二极管信号隔离模块M3使得单个MCU发生短路或开路故障,其不会影响另一个MCU对模块M5的控制。存在MOS管关断快速放电模块M4为MOS管栅极G端与源极S端的寄生电容提供一条就近泄放电荷的路径,使得MOS管能快速关断并且降低开关损耗。本发明解决了双MCU控制同一个低边MOS管存在双MCU之间控制信号相互干扰问题,还解决了因MOS管寄生电容放电路径过长导致MOS管关断时间较长,开关损耗大的问题。 | ||
搜索关键词: | mcu 隔离 驱动 mos 电路 | ||
【主权项】:
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
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H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
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