[发明专利]双MCU隔离驱动MOS管的电路在审

专利信息
申请号: 202110622182.6 申请日: 2021-06-04
公开(公告)号: CN113422499A 公开(公告)日: 2021-09-21
发明(设计)人: 张杰;孟宪策;杨亿;张淼;马天宇 申请(专利权)人: 浙江亚太机电股份有限公司
主分类号: H02M1/088 分类号: H02M1/088;H02M1/44;H02P7/298;H02H9/00
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 林超
地址: 311203 浙江省杭*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种双MCU隔离驱动MOS管的电路。包括控制驱动模块M1、推挽输出电路M2、二极管信号隔离模块M3、MOS关断快速放电模块M4、低边MOS管驱动电机模块M5;两个MCU都能控制同一个低边MOS管来驱动电机;二极管信号隔离模块M3使得单个MCU发生短路或开路故障,其不会影响另一个MCU对模块M5的控制。存在MOS管关断快速放电模块M4为MOS管栅极G端与源极S端的寄生电容提供一条就近泄放电荷的路径,使得MOS管能快速关断并且降低开关损耗。本发明解决了双MCU控制同一个低边MOS管存在双MCU之间控制信号相互干扰问题,还解决了因MOS管寄生电容放电路径过长导致MOS管关断时间较长,开关损耗大的问题。
搜索关键词: mcu 隔离 驱动 mos 电路
【主权项】:
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