[发明专利]发光二极管结构及其制作方法在审

专利信息
申请号: 202110622862.8 申请日: 2021-06-04
公开(公告)号: CN113380934A 公开(公告)日: 2021-09-10
发明(设计)人: 赖穆人;刘召忠;蓝文新;李南平;林辉;杨小利 申请(专利权)人: 江西新正耀光学研究院有限公司
主分类号: H01L33/32 分类号: H01L33/32;H01L33/44;H01L33/64;H01L33/00
代理公司: 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 代理人: 于淼
地址: 341700 江西省赣州*** 国省代码: 江西;36
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摘要: 本申请公开了一种发光二极管结构及其制作方法,涉及发光二极管生产技术领域,包括:衬底;氮化物化合物半导体结构层,包括凸起部和至少一个边缘部;N侧欧姆接触金属层,位于边缘部远离衬底一侧的部分表面;P侧透光欧姆接触层,位于凸起部远离衬底一侧的表面;氮氧化铝保护层,包括第一氮氧化铝保护层和第二氮氧化铝保护层;金属焊垫,包括第一金属焊垫和第二金属焊垫。本申请采用具有高热传导系数的氮氧化铝制作保护层,能够将发光区产生的热量快速导向外部,避免发光区温度过高影响发光效率的问题,有利于提高发光元件的发光效率并延长其工作寿命。
搜索关键词: 发光二极管 结构 及其 制作方法
【主权项】:
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