[发明专利]一种银-二氧化钛填料掺杂聚偏氟乙烯的电介质复合薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 202110625568.2 | 申请日： | 2021-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN113429600B | 公开（公告）日： | 2023-02-14 |
| 发明（设计）人： | 李伟平;侯亚飞;武志杰;陈辉 | 申请（专利权）人： | 宁波大学 |
| 主分类号： | C08J5/18 | 分类号： | C08J5/18;C08L27/16;C08K7/08;C08K9/10;C08K7/00;C08K3/22;C08K3/08 |
| 代理公司： | 宁波奥圣专利代理有限公司 33226 | 代理人： | 何仲 |
| 地址： | 315211 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种银‑二氧化钛填料掺杂聚偏氟乙烯的电介质复合薄膜及其制备方法，特点是该复合薄膜由银‑二氧化钛填料填充于聚偏氟乙烯基体中复合而成，银‑二氧化钛填料为核壳结构，其中核层为呈树皮状的表面包覆有片状二氧化钛的一维二氧化钛纳米线，壳层为修饰在片状二氧化钛表面的银纳米颗粒，其制备方法包括将制备得到的银‑二氧化钛填料分散在有机溶剂N‑N二甲基甲酰胺中，然后超声搅拌后，加入聚偏氟乙烯搅拌，采用溶液铸造法制备得到银‑二氧化钛填料体积分数为0.5‑2%的银‑二氧化钛填料掺杂聚偏氟乙烯的电介质复合薄膜的步骤；优点是在较低电场强度下，具有极高的极化、较高的充放电效率和极高的能量密度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 填料 掺杂 聚偏氟 乙烯 电介质 复合 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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