[发明专利]一种二维层状异质结Ge-GeH、光电阳极材料及其制备方法有效
| 申请号： | 202110625764.X | 申请日： | 2021-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN113394023B | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 罗劭娟;吴梓环;招家富;王林杰;邱全源;李泽宇;陆凤连;冯斯桐;欧金法;吴传德 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | H01G9/20 | 分类号： | H01G9/20;C01B6/06 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 陈嘉毅 |
| 地址： | 510090 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二维层状异质结Ge‑GeH、光电阳极材料及其制备方法，Ge‑GeH异质结的制备方法包括如下步骤：S1.将锗单质和钙单质按比例混合均匀后煅烧，冷却后得到混合物；锗单质与钙单质的质量比为1：(0.4～0.8)；S2.将S1得到的混合物与浓盐酸混合，在真空条件下搅拌反应40～55h，洗涤，超声处理，所得即为二维层状异质结Ge‑GeH。本发明制备得到的二维层状异质结Ge‑GeH具有优异的光电响应性能，可与商业导电碳粉混合用于制备PEC型光电探测系统中的光电阳极材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二维 层状 异质结 ge geh 光电 阳极 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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