[发明专利]一种基于P3HT纳米线的三端三维人造突触电子器件的制备方法

摘要

本发明为一种基于P3HT纳米线的三端三维人造突触电子器件的制备方法。该方法包括如下步骤：将碳纳米管水分散液喷涂到贴有掩模版的氧化硅片上，得到碳纳米管层材质的电极；将掩模版取下，再向氧化硅片上涂覆离子液体溶液，干燥后揭下离子胶，得到上面分布有电极形状的碳纳米管层的离子胶衬底；在分布有电极形状的碳纳米管层的离子胶衬底表面上，通过静电纺丝方式得到的P3HT纳米线；再将第二离子胶层贴在上一步中得到材料上，获得三端三维突触电子器件。本发明得到的电子器件可以在正反等多个方向对刺激进行感应，实现了真正意义上对生物突触的模拟，对大规模集成和阵列的应用意义重大。