[发明专利]一种选择性接触区域掩埋型太阳能电池及其背面接触结构

摘要

本发明适用于太阳能电池技术领域，提供了一种选择性接触区域掩埋型太阳能电池及其背面接触结构，该背面接触结构包括间隔设置于硅衬底背面的凹槽；交替设置的第一导电区和第二导电区，其中一者设于凹槽内，其中另一者设于凹槽外，第一导电区包括依次设置的第一电介质层和第一掺杂区域，第二导电区包括第二掺杂区域；设置于第一导电区和第二导电区之间的第二电介质层，第二电介质层为至少一层；及设置在第一导电区和第二导电区上的导电层。本发明中提供的背面接触结构，解决了现有对于沟槽宽度控制要求高及钝化效果差的问题。