[发明专利]一种具有垂直场板保护的SiC基槽栅MOSFET结构在审
| 申请号： | 202110627327.1 | 申请日： | 2021-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN113488540A | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 蒋佳烨;胡冬青;李婷;王正江;周新田;贾云鹏;吴郁 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
具有垂直场板保护的SiC基槽栅MOSFET结构属于功率半导体开关器件。这种结构在普通槽栅MOSFET基础上，增加了深槽群。深槽与栅槽同轴且形状相似，深槽外边‑栅槽内边间距均匀相等，且控制在1‑3微米之间。深槽比栅槽深2‑10微米，深槽内填充的多晶与源电极相连，在器件阻断态起垂直偏置场板作用，可以有效降低栅槽角隅处的电场强度，改善栅可靠性。外延层分两层，第一层外延层的掺杂浓度和厚度与阻断电压有关，对于1200V的耐压要求掺杂浓度在1‑2×10 |
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| 搜索关键词： | 一种 具有 垂直 保护 sic 基槽栅 mosfet 结构 | ||
【主权项】：
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