[发明专利]一种P型背接触式晶硅太阳能电池的制备方法

摘要

本发明适用太阳能电池加工技术领域，提供了一种P型背接触式晶硅太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：P型硅片抛光及生长氧化硅层；硅片背面沉积非晶硅层；硅片背面沉积掩膜；硅片背面局部激光消融；制绒；退火；硅片背面沉积背面钝化膜；激光开槽；正、负电极印刷烧结。本发明提供的P型背接触式晶硅太阳能电池的制备方法通过一步完成硅片抛光和氧化硅层生长，简化了工艺,且通过局部激光消融后再制绒，可以提升电池性能和电池转换效率；而且，无需采用离子注入技术，极大地简化了工艺，利用常规PERC太阳能电池的加工设备即可实现P型背接触式晶硅太阳能电池的制备，无需另外增加其它设备，极大地降低了P型背接触式晶硅太阳能电池的生产成本。