[发明专利]存储器装置在审

专利信息
申请号: 202110630960.6 申请日: 2021-06-07
公开(公告)号: CN113593625A 公开(公告)日: 2021-11-02
发明(设计)人: 廖忠志 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G11C16/10 分类号: G11C16/10;G11C16/34;G11C11/40;G11C8/14;G11C7/18
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 黄艳
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 一种存储器装置,包括形成于一基板的第一区域中的第一晶体管。第一晶体管包括自上述基板突出的突出结构,以及耦接至突出结构的第一端的第一源极/漏极(S/D)结构。上述存储器装置包括形成于上述基板的第二区域中的第二晶体管。第二晶体管包括垂直地彼此间隔的多个第一半导体层、耦接至多个第一半导体层的第一端的第二源极/漏极结构、以及耦接至多个第一半导体层的第二端的第三源极/漏极结构。第一区域与第二区域通过隔离结构彼此横向地分隔。
搜索关键词: 存储器 装置
【主权项】:
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