[发明专利]存储器装置在审
申请号: | 202110630960.6 | 申请日: | 2021-06-07 |
公开(公告)号: | CN113593625A | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
发明(设计)人: | 廖忠志 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/10 | 分类号: | G11C16/10;G11C16/34;G11C11/40;G11C8/14;G11C7/18 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种存储器装置,包括形成于一基板的第一区域中的第一晶体管。第一晶体管包括自上述基板突出的突出结构,以及耦接至突出结构的第一端的第一源极/漏极(S/D)结构。上述存储器装置包括形成于上述基板的第二区域中的第二晶体管。第二晶体管包括垂直地彼此间隔的多个第一半导体层、耦接至多个第一半导体层的第一端的第二源极/漏极结构、以及耦接至多个第一半导体层的第二端的第三源极/漏极结构。第一区域与第二区域通过隔离结构彼此横向地分隔。 | ||
搜索关键词: | 存储器 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110630960.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。