[发明专利]半导体元件及其形成方法在审
| 申请号： | 202110631139.6 | 申请日： | 2021-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN113394218A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 范达尔·马库斯·琼斯·亨利库斯;朵尔伯斯·荷尔本 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L27/02;H01L23/367;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体元件及其形成方法，半导体元件包括基材、半导体鳍片、源极/漏极结构、第一埋入式电源线、接触、第一基材通孔和第二基材通孔。基材具有井区，此井区从基材的前表面延伸到基材中。半导体鳍片位于井区上。源极/漏极结构在半导体鳍片上。第一埋入式电源线电耦合到第一半导体鳍片上的源极/漏极结构。第一埋入式电源线具有沿着第一半导体鳍片的长度方向延伸的长度和在井区内延伸的高度。第一基材通孔从基材的背表面穿过基材延伸到第一埋入式电源线。第二基材通孔从基材的背表面延伸到井区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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