[发明专利]一种GaN-HEMT器件上倾角结构的制备方法在审
| 申请号： | 202110631236.5 | 申请日： | 2021-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN113314416A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 刘胜北 | 申请（专利权）人： | 上海新微半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种GaN‑HEMT器件上倾角结构的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：在具有GaN‑HEMT外延结构晶圆的表面依次生长第一SiN层、多晶硅层、二氧化硅层与第二SiN层；光刻开口，然后依次刻蚀第二SiN层、二氧化硅层与多晶硅层，以形成一深沟槽，使多晶硅层的侧壁暴露；氧化处理光刻开口后的GaN‑HEMT，使多晶硅层形成倾角结构；刻蚀去除第二SiN层与二氧化硅层；刻蚀处理多晶硅层及第一SiN层使多晶硅层的倾角结构形貌转移至第一SiN层。本发明采用氧化多晶硅形成二氧化硅的方法形成倾角结构，通过调节氧化处理的条件实现对倾角结构的调控，更容易实现精确化控制，便于进行工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan hemt 器件 倾角 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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