[发明专利]原位包覆硅碳负极材料和其制备方法及其锂离子电池有效
申请号: | 202110632560.9 | 申请日: | 2021-06-07 |
公开(公告)号: | CN113471436B | 公开(公告)日: | 2022-10-14 |
发明(设计)人: | 高剑;高阳;王铭 | 申请(专利权)人: | 四川启睿克科技有限公司 |
主分类号: | H01M4/62 | 分类号: | H01M4/62;H01M4/38;H01M4/134;H01M10/0525;B02C17/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
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地址: | 610094 四川省成都*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了原位包覆硅碳负极材料制备方法,包括以下步骤:将粗硅颗粒、研磨助剂、磨球三种物质置于氧化锆球磨罐;加入pH调节剂、水/乙醇混合液;设置转速400~600r/min的转速球磨16~24h,得到球磨产物;将球磨产物通过水浴蒸干,烘箱干燥,并在惰性气氛下焙烧,得到焙烧产物。该方法成本低,可防止硅颗粒直接接触导致应力集中对电化学性能破坏;该方法制备的产品包覆结构完整,可避免纳米硅与电解液接触,防止副反应,可提升材料导电率;同时因应力缓冲区存在,不会因应力集中导致颗粒间失去电连接,保护电极结构完整性。本发明还包括原位包覆硅碳负极材料及用原位包覆碳硅负极材料制备的负电极以及锂离子电池。 | ||
搜索关键词: | 原位 包覆硅碳 负极 材料 制备 方法 及其 锂离子电池 | ||
【主权项】:
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