[发明专利]一种混晶相铌掺杂二氧化钛纳米管阵列光阳极的制备方法在审
| 申请号： | 202110632720.X | 申请日： | 2021-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN113355694A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 董振标;蔡义强;马俊杰 | 申请（专利权）人： | 上海应用技术大学 |
| 主分类号： | C25B11/091 | 分类号： | C25B11/091;C25D11/26;C25B1/04;C25B1/55;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 胡晶 |
| 地址： | 200235 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种混晶相铌掺杂二氧化钛纳米管阵列光阳极的制备方法，具体包括以下步骤：Ti‑Nb合金经阳极氧化后再进行晶化处理，即得混晶相铌掺杂二氧化钛纳米管阵列光阳极；其中，所得混晶相铌掺杂二氧化钛纳米管阵列光阳极的相结构为包括锐钛矿晶型结构和金红石晶型结构的混晶相。本发明一种混晶相铌掺杂二氧化钛纳米管阵列光阳极的制备方法，工艺简单、安全、可靠，制备过程中所需原料来源广泛、成本低、无毒无害，制备过程所需设备投入低，大大降低了混晶相铌掺杂二氧化钛纳米管阵列光阳极的制备成本，通过本发明中的制备方法获得了一种价格廉价、环境友好同时具有优异的光阳极稳定性及光电催化性能的光阳极材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 混晶相铌 掺杂 氧化 纳米 阵列 阳极 制备 方法 | ||
【主权项】：
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