[发明专利]一种具有深沟槽的超结结构、半导体器件及制备方法在审
| 申请号： | 202110633961.6 | 申请日： | 2021-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN113488524A | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 江希;周圣钧;何艳静;袁嵩;弓小武 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L29/739;H01L21/336;H01L21/331 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有深沟槽的超结结构、半导体器件及制备方法，该超结结构自下而上依次包括：N‑外延区、P‑阱区以及N+注入区；其中，N‑外延区内设有多个彼此分离的P+柱状区域，P+柱状区域从N‑外延区的上表面向下延伸；且其深度小于N‑外延区的厚度；相邻两个P+柱状区域之间还设有P‑PILLAR区，P‑PILLAR区自N+注入区上表面延伸至N‑外延区下表面，并同时在P‑PILLAR区和P+柱状区域之间的N‑外延区中形成多个N‑柱状区域；P+柱状区域、N‑柱状区域和P‑PILLAR区一起形成超结结构。本发明提供的超结结构具有能够抑制雪崩电流的性能，使得器件能够承受更高的压降，提升了器件的击穿电压和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 深沟 结构 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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