[发明专利]一种适用于高温高压纯氢气环境的钐钴永磁体的制备方法有效
| 申请号： | 202110634464.8 | 申请日： | 2021-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN113451038B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 赵宇;徐道兵;樊金奎;王栋;雷建;卓宇 | 申请（专利权）人： | 杭州永磁集团有限公司 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人： | 俞润体 |
| 地址： | 311201 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及永磁材料领域，公开了一种适用于高温高压纯氢气环境的钐钴永磁体的制备方法，包括：（1）熔炼；（2）破碎处理，气流磨；（3）磁场取向成型，冷等静压；（4）烧结、固溶、时效处理体；（5）对钐钴磁体表面清洁处理，在钐钴磁体表面依次镀基体镀层、AlCrZnN镀层和DyNiAl镀层。本发明采用磁控溅射法在钐钴永磁表面制备的镀层结合性及致密性好，具有优秀的耐氢性能和耐高温性能，保证了钐钴永磁材料在高温高压纯氢气环境下的使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 高温 高压 氢气 环境 永磁体 制备 方法 | ||
【主权项】：
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