[发明专利]晶粒针刺脱膜方法有效
| 申请号： | 202110639495.2 | 申请日： | 2021-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN113380674B | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 林政丰 | 申请（专利权）人： | 深圳新连芯智能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683;H01L33/48 |
| 代理公司： | 深圳市中科创为专利代理有限公司 44384 | 代理人： | 彭西洋 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及晶环薄膜的晶粒针刺挑选技术领域，特别涉及晶粒针刺脱膜方法，将带有矩阵式分布晶粒的晶环薄膜上料固定于控制机构上，视觉系统自动对整张晶环薄膜进行预扫描，识别出全部晶粒位置并建立一坐标系，赋予每一个晶粒一专属坐标点，完成预扫描后，控制机构按照回形轨迹或梅花形轨迹调整晶环薄膜，保证顶针能够精准对上晶粒进行针刺挑选脱膜。与现有技术相比，本发明的晶粒针刺脱膜方法可以保证晶环薄膜整体受力均匀，各晶粒的位置几乎不存在偏移量，在针刺挑选过程中便避免了薄膜与顶针的粘滞现象，间隔处的晶粒受到左右晶环薄膜的收缩量平衡，保证顶针针刺作业过程的精准挑选，提高工作效率，节约资源，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 晶粒 针刺 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳新连芯智能科技有限公司，未经深圳新连芯智能科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110639495.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
