[发明专利]一种聚环氧乙烷掺杂的准二维钙钛矿薄膜及其制备方法与发光器件在审

专利信息
申请号: 202110640359.5 申请日: 2021-06-08
公开(公告)号: CN113421966A 公开(公告)日: 2021-09-21
发明(设计)人: 张曙光;诸葛有强;王俊杰;谭毅瑛;彭俊彪 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46;H01L51/48
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 何淑珍;江裕强
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种聚环氧乙烷掺杂的准二维钙钛矿薄膜及其制备方法与发光器件,该薄膜包括准二维钙钛矿和聚环氧乙烷;所述准二维钙钛矿的分子式为L2FAxPb3Br10,所述的L为正一价有机铵离子,所述的x=2~3。本发明在制备发光层的过程中,在前驱体中掺入适量的聚环氧乙烷聚合物,显著地提升了钙钛矿薄膜的质量,具体表现为钙钛矿薄膜表面粗糙度的显著降低,钙钛矿晶粒的显著细化,准二维钙钛矿薄膜中的非辐射复合相的生成受到抑制,准二维钙钛矿薄膜的相纯度得到了大幅度的提升;所得发光器件的发光亮度、电流效率得到显著提高;同时方法简单,重复性好,操作简便,掺杂材料来源广且价格便宜。
搜索关键词: 一种 环氧乙烷 掺杂 二维 钙钛矿 薄膜 及其 制备 方法 发光 器件
【主权项】:
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