[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110641273.4 | 申请日： | 2021-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN113380894A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 乔治奥斯·韦理安尼堤斯 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/51;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 薛恒;徐川 |
| 地址： | 中国台湾新竹科学工业园区新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例描述一种晶体管器件和制造方法。器件包含：栅极结构，具有栅极层和铁电层；源极端子和漏极端子；以及结晶沟道部分。源极端子和漏极端子安置在栅极结构的相对侧处。结晶沟道部分在源极端子与漏极端子之间延伸。源极端子和漏极端子安置在结晶沟道部分上，且栅极结构安置在结晶沟道部分上。结晶沟道部分包含含有第III族元素和第V族元素的第一材料，栅极层包含含有第III族元素和稀土元素的第二材料，且铁电层包含含有第III族元素、稀土元素以及第V族元素的第三材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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