[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 202110642529.3 | 申请日： | 2021-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN114447116A | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 陈柏安 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘金凤;韩嫚嫚 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是关于半导体结构，其包含：基板、磊晶层、埋置层、源极区及汲极区、漂移区、闸极结构、第一隔离结构以及高压井区；基板具有第一导电型态；磊晶层具有不同于第一导电型态的第二导电型态且设置于基板上。埋置层具有第二导电型态且设置于基板；源极区及汲极区分别具有第一导电型态且分别设置于磊晶层中；漂移区具有第一导电型态且设置于磊晶层中，位于源极区及汲极区之间，且与汲极区电性连接。闸极结构设置于源极区及漂移区上。第一隔离结构设置于漂移区与汲极区之间；高压井区具有第一导电型态，设置于磊晶层中，且与埋置层及第一隔离结构接触。本发明能避免半导体结构中的基板漏电流的产生，从而获得具有更优良的电性特征。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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