[发明专利]一种判断三维导体尖端附近介质是否被击穿的方法有效
| 申请号： | 202110646417.5 | 申请日： | 2021-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN115455631B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 施伟辰;侯丹;顾邦平;张奇;吴姜玮 | 申请（专利权）人： | 上海海事大学 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G06F17/16 |
| 代理公司： | 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司 31227 | 代理人： | 孟旭彤 |
| 地址： | 201306 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
一种判断三维导体尖端附近介质是否被击穿的方法，提出一种计算电场强度因子K的守恒积分；通过实验测试得到三维导体尖端附近介质被击穿的临界阈值Kc；比较K与Kc的数值大小；若K大于Kc，则介质被击穿；若K小于或等于Kc，则介质未被击穿。所述的电场强度因子K的表达式为： |
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| 搜索关键词： | 一种 判断 三维 导体 尖端 附近 介质 是否 击穿 方法 | ||
【主权项】：
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