[发明专利]利用聚合物沉积技术保护管芯隅角在审
申请号: | 202110647223.7 | 申请日: | 2021-06-10 |
公开(公告)号: | CN113809006A | 公开(公告)日: | 2021-12-17 |
发明(设计)人: | 杨博智 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L23/00 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王艳娇 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本申请涉及通过使用聚合物沉积技术的管芯隅角保护。一种用于分离半导体管芯组件的半导体管芯的方法包括在组件的第一表面上沉积第一涂层。组件包括具有多个半导体管芯以及第一表面和第二表面的管芯晶片。在相邻的半导体管芯之间移除管芯晶片的第一部分和第一涂层,以在管芯晶片中第一表面和第二表面之间形成具有中间深度的沟槽,使得管芯隅角形成在沟槽的任一侧上。在管芯组件的第一表面上沉积保护涂层,以覆盖管芯隅角、沟槽和第一涂层的至少一部分。选择性地移除第一涂层,使得保护涂层的覆盖管芯隅角和沟槽的部分保留在管芯晶片上。将相邻的半导体管芯彼此分离,并且使保护涂层保持覆盖管芯隅角。 | ||
搜索关键词: | 利用 聚合物 沉积 技术 保护 管芯 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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