[发明专利]降低工作电压的紫外发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 202110653395.5 | 申请日： | 2021-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN113594317B | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 乔楠;李昱桦;刘源 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供了一种降低工作电压的紫外发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。在p型AlGaN层与氧化铟锡层之间增加p型复合接触层，p型复合接触层包括依次层叠在p型AlGaN层上的Mg接触子层、MgN子层、p型GaN子层与p型InGaN子层。Mg接触子层降低电阻，提高空穴浓度。MgN子层中具有较高的空穴浓度而整体电阻较低。MgN子层过渡到p型GaN子层与p型InGaN子层，电阻降低。使发光二极管外延片整体的体电阻降低，进而降低最终得到的紫外发光二极管芯片的工作电压，提高紫外发光二极管芯片的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 工作 电压 紫外 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电（苏州）有限公司，未经华灿光电（苏州）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110653395.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
