[发明专利]具有β相网状拓扑结构的聚偏氟乙烯纳米薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 202110653438.X | 申请日： | 2021-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN113549237B | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 王冰花;陈静波;张彬;周子渊;张智培 | 申请（专利权）人： | 郑州大学 |
| 主分类号： | C08J7/00 | 分类号： | C08J7/00;C08J5/18;C08L27/16 |
| 代理公司： | 郑州大通专利商标代理有限公司 41111 | 代理人： | 张立强 |
| 地址： | 450001 河南省郑*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有β相网状拓扑结构的聚偏氟乙烯纳米薄膜的制备方法。该方法利用旋涂法制备聚偏氟乙烯纳米薄膜，对其进行溶剂蒸气退火得到具有β相网状拓扑结构的聚偏氟乙烯纳米薄膜，通过改变薄膜厚度、退火时间和溶液温度可调控聚偏氟乙烯纳米薄膜中网状拓扑结构的网格密度和高度。本发明在纳米薄膜中实现了可靠性较高的聚偏氟乙烯网状拓扑结构，有望拓展聚偏氟乙烯在传感器与换能器等方面的应用，操作简单且成本较低，对工业生产具有很好的潜在经济效益。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 网状 拓扑 结构 聚偏氟 乙烯 纳米 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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