[发明专利]离子注入方法在审
| 申请号： | 202110654050.1 | 申请日： | 2021-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN113394085A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 周俊;孙鹏;杨道虹;魏丹清 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/266;H01J37/317 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 田婷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种离子注入方法。所述离子注入方法在形成注入掩膜的过程中，在半导体基底上先形成ONO叠层，然后依次刻蚀其中的第二氧化层和氮化层而第二开口，当所述第二开口的深度满足离子注入要求时，以具有第二开口的ONO叠层作为注入掩膜。在获得第二开口的过程中，以垂直于半导体基底上表面的角度刻蚀第二氧化层和氮化层，从而得到的第二开口的垂直性好，形貌易于控制，有助于提高离子注入的精度，便于满足小线宽器件设计的形貌控制要求，而且，ONO叠层的膜稳定性好，即使为了满足高能离子注入而厚度设置得较大时也不容易倒塌，可以满足小线宽和/或高能离子注入的工艺需求。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 注入 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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