[发明专利]一种石英反应腔的维护方法在审
申请号: | 202110654052.0 | 申请日: | 2021-06-11 |
公开(公告)号: | CN113388893A | 公开(公告)日: | 2021-09-14 |
发明(设计)人: | 张哲;巩雨锋;刘波 | 申请(专利权)人: | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
主分类号: | C30B31/10 | 分类号: | C30B31/10;C30B31/16 |
代理公司: | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人: | 罗磊 |
地址: | 510000 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明通过在将所述承载室的环境设置为大气环境,并将承载室空载后装载至石英反应腔室中;增加所述石英反应腔室的温度至预设温度,所述大气环境中的氧气与残留物膜层的表面析出有固体的N型离子反应形成杂质气体,并在石英反应腔室的腔室壁上形成硅氧薄膜;以及将石英反应腔室中的所述杂质气体抽出,使得石英反应腔室的腔室壁上析出的N型离子气化并得以去除,以及硅氧薄膜的绝缘作用,避免和阻止磷掺杂硅生产过程中,石英反应腔的残留物薄膜表面析出固态的磷,从而降低了由于磷析出后扩散至晶圆表面产生颗粒残留物污染,还可以延长使用三氟化氯气体干刻维护石英反应腔的周期。 | ||
搜索关键词: | 一种 石英 反应 维护 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州粤芯半导体技术有限公司,未经广州粤芯半导体技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110654052.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:大尺寸芯片及其制作方法、大尺寸芯片晶圆
- 下一篇:一种气管插管固定器