[发明专利]一种场效应导通沟道光电探测器及其制备方法

摘要

本发明公开一种场效应导通沟道光电探测器，包括波导层、耗尽层和电极层。耗尽层设置于所述波导层上；所述耗尽层包括沿横向并排设置的P型半导体和N型半导体，所述P型半导体和所述N型半导体之间形成耗尽区；所述耗尽区的宽度配置成根据入射至波导层的信号光的强度动态变化。电极层，包括第一电极以及第二电极；所述第一电极以及第二电极间隔的设置在所述耗尽层上，且所述第一电极与第二电极的两端配置为在没有信号光入射时，正好与耗尽区的边缘保持平齐。本发明实现了一种通过光控制导通沟道从而控制光电流的硅基光电探测器，其具有较高的信噪比，从而能降低误码率。