[发明专利]一种侧向耦合光电探测器在审
申请号: | 202110654242.2 | 申请日: | 2021-06-11 |
公开(公告)号: | CN113437160A | 公开(公告)日: | 2021-09-24 |
发明(设计)人: | 崔积适 | 申请(专利权)人: | 三明学院 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/103;G02B6/122 |
代理公司: | 厦门智慧呈睿知识产权代理事务所(普通合伙) 35222 | 代理人: | 杨唯 |
地址: | 365000 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明公开一种侧向耦合光电探测器,包括衬底层、波导层、吸收层和电极层。波导层设置在衬底层之上,波导层的上表面设置多条平行且等距的方形沟槽,每两条沟槽之间形成方形凸起的波导柱,沟槽的宽度等于波导柱的宽度,波导柱的宽度匹配一个或多个耦合周期。重复的沟槽和波导柱形成楔形结构。吸收层设置在波导层之上,临近于楔形结构的一侧。吸收层和波导层之间形成异质结。吸收层构造成在光入射时产生载流子。本发明的硅基锗探测器,光入射方向垂直于波导柱方向,光在波导柱侧面耦合,侧向耦合避免了光场在传输方向上锗吸收层周期性分布的问题,有效减弱了载流子浓度强弱的交替分布,进而减弱了载流子屏蔽效应,提升了器件的带宽和响应度。 | ||
搜索关键词: | 一种 侧向 耦合 光电 探测器 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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