[发明专利]像元错位的铟镓砷线列探测器、检测方法及铟镓砷光敏芯片

摘要

本发明公开了一种像元错位的铟镓砷线列探测器、检测方法及铟镓砷光敏芯片；所述铟镓砷线列探测器包括铟镓砷光敏芯片，所述铟镓砷光敏芯片包括至少两行平行排列的像元；相邻行中的像元沿行方向错位设置；相邻两行像元在列方向的中心距不小于一个像元在列方向的物理尺寸。本发明提供的像元错位的铟镓砷线列探测器及基于其的检测方法、铟镓砷光敏芯片，通过设置相邻两行的像元形成合理的错位结构，可以有效地利用相邻行的像元实现对检测对象的成像互补，避免了由于相邻像元的成像空隙对入射光无响应，显著降低了探测系统对场景中异常的漏检概率的问题，并能通过图像融合处理实现图像分辨率的提升。