[发明专利]半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 202110656086.3 | 申请日： | 2021-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN113540229B | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 王喜瑜;张煜;张濛;刘海军;芦浩;代云飞;司泽艳;孙保全;蔡小龙 | 申请（专利权）人： | 中兴通讯股份有限公司;西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L23/31;H01L21/335 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 梁国平 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了半导体器件及其制作方法，其中，半导体器件包括外延基片和复合钝化层，外延基片包括势垒层，势垒层上表面设有源电极、漏电极和栅电极；复合钝化层包括第一钝化层和第二钝化层，第二钝化层位于第一钝化层的上层，复合钝化层设置于源电极和漏电极之间，栅电极设置于复合钝化层，第一钝化层含有负离子，在栅电极和漏电极之间的第一钝化层设置有至少一个开孔，以形成负离子孤岛阵列。本发明采用复合钝化层，在沉积第一钝化层时直接加入负离子，然后在栅电极和漏电极之间的第一钝化层选区开孔，形成负离子钝化孤岛，达到类浮空场板技术效果。此外，由于未引入场板结构，避免密勒负反馈电容的产生，提升了器件的频率特性和增益。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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