[发明专利]半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202110656877.6 | 申请日： | 2021-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN113540230A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 张万春;张煜;张濛;刘海军;贾富春;胡龙;王雨晨;顾浩;蔡小龙 | 申请（专利权）人： | 中兴通讯股份有限公司;西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L23/31;H01L21/335 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 梁国平 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了半导体器件及其制作方法，其中，半导体器件包括外延基片和叠层钝化层，外延基片包括势垒层，势垒层上表面设有源电极、漏电极和栅电极；叠层钝化层包括第一钝化层和第二钝化层，第二钝化层位于第一钝化层的上层，第一钝化层由非掺杂P型材料构成，第二钝化层由氧化铝、氮化硅和氧化硅中的任意一种构成，叠层钝化层设置于源电极和漏电极之间，栅电极设置于叠层钝化层。本发明采用非掺杂P型材料作为第一层钝化材料，非掺杂P型材料与GaN或AlGaN界面处形成p‑n结，可有效的阻断界面漏电通道，起到场制调控作用，从而直接降低器件关态漏电。同时，第二层钝化层可以有效阻拦水汽、氧等进入势垒层表面界面，从而提高器件可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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