[发明专利]一种基于芴酮类聚合物驻极体的有机场效应晶体管存储器在审
| 申请号： | 202110659295.3 | 申请日： | 2021-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN114005938A | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 卞临沂;解蒙;张忍;张哲玮;解令海 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/30 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 范丹丹 |
| 地址： | 210046 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种基于芴酮类聚合物驻极体的有机场效应晶体管存储器，该存储器从下至上依次包括衬底及基于该衬底之上的栅电极、栅绝缘层、柱极体层、有机半导体层及源漏电极，所述驻极体层为芴酮类聚合物，芴酮类聚合物的厚度为10～30nm。通过旋涂溶液法将不同组分的芴酮类聚合物驻极体制备成电荷俘获层薄膜，基于此电荷俘获层的OFET存储器不仅可以在光电的调控下实现双向的电荷存储，还可以实现ms级别的快速响应及良好的双向耐受性，并且整个操作工艺简单、成本低廉，该方法是一种改善聚合物存储行为的有效且通用的方法，制备的非易失性OFET存储器可应用在柔性及穿戴电子设备中，有利于未来存储器件的进一步发展推广与生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 酮类 聚合物 驻极体 有机 场效应 晶体管 存储器 | ||
【主权项】：
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