[发明专利]存储装置以及该存储装置的制造方法在审
| 申请号： | 202110659620.6 | 申请日： | 2021-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN114203809A | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 李南宰 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L23/538;H01L27/11568;H01L27/11578;H01L21/768;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 张美芹;刘久亮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种存储装置及该存储装置的制造方法。所述存储装置包括：第一栅极导电图案，其包括第一水平部分、第二水平部分以及连接到第一水平部分的一个端部的第三水平部分；第一绝缘图案，其布置在第一栅极导电图案的第一水平部分和第二水平部分之间；以及第二栅极导电图案，其包括第一水平部分、第二水平部分以及连接到第二栅极导电图案的第二水平部分的一个端部的第三水平部分；第一栅极接触结构，其在接触区域上竖向延伸，该第一栅极接触结构在穿透第一栅极导电图案的第三水平部分的同时与第一栅极导电图案接触。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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