[发明专利]包含膦氧化物基质和金属盐的半导体材料在审
| 申请号： | 202110659744.4 | 申请日： | 2014-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN113563379A | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 卡斯滕·罗特;迈克·策尔纳 | 申请（专利权）人： | 诺瓦尔德股份有限公司 |
| 主分类号： | C07F9/53 | 分类号： | C07F9/53;H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 刘慧;金海霞 |
| 地址： | 德国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明涉及包含膦氧化物基质和金属盐的半导体材料。所述半导体材料包含如权利要求1所述的选自A1至A7和B1至B8的化合物和至少一种式(II)所示的锂络合物(II)，其中A |
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| 搜索关键词： | 包含 氧化物 基质 金属 半导体材料 | ||
【主权项】：
暂无信息
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