[发明专利]MOS控制晶闸管的制造方法及MOS控制晶闸管有效
| 申请号： | 202110659745.9 | 申请日： | 2021-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN113555282B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 龚大卫;刘杰;郑泽人;刘剑 | 申请（专利权）人： | 扬州国扬电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/332 | 分类号： | H01L21/332;H01L29/745 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 225009 江苏省扬州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MOS控制晶闸管的制造方法及MOS控制晶闸管，其中制造方法具体包括如下步骤：S100：采用离子注入工艺在衬底上形成第一JFET区域；S200：在衬底上生长EPI层；S300：采用离子注入工艺在EPI层上形成第二JFET区域；S400：采用扩散工艺使第二JFET区域与第一JFET区域连通；S500：进行栅极、重掺杂N型区、重掺杂P型区及阱区工艺，并完成正面工艺；S600：进行背面缓冲层、背面重掺杂层及漏极工艺，并完成背面工艺。根据上述技术方案的制造方法，简化了工艺流程，增加了工艺窗口，提高了器件的一致性。同时可以缩小JFET区域的横向尺寸，提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | mos 控制 晶闸管 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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