[发明专利]一种基于RRAM的非易失性可配置下拉电阻网络在审
| 申请号： | 202110659754.8 | 申请日： | 2021-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN113393985A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 吴佳;李礼;吴叶楠 | 申请（专利权）人： | 上海威固信息技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01C1/16 | 分类号： | H01C1/16;H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海海贝律师事务所 31301 | 代理人： | 王文锋 |
| 地址： | 201702 上海市青*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于双极性RRAM的非易失性可配置下拉电阻网络。包括并联的n个子电路，每个子电路包括RRAM，其两端分别与第一单元第二单元的NMOS晶体管相连，包括并联的两个限流电阻，分别与一组PMOS晶体管和一组NMOS晶体管相连；一个PMOS晶体管与使能EN、电源VDD相连，另一个PMOS晶体管与配置端口Kx相连；一个NMOS晶体管与地GND、信号BEN相连，另一个NMOS晶体管与配置端口Kx相连。本发明可以在断电时和再次上电后仍保持所配置的电阻，无须再次校准过程，能够大大加快高速串行电路等使用可配置下拉电阻网络的集成电路的启动速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 rram 非易失性可 配置 下拉 电阻 网络 | ||
【主权项】：
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