[发明专利]一种单片层间通孔的制备方法在审
| 申请号： | 202110661405.X | 申请日： | 2021-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN113496946A | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 叶怀宇;王少刚;高宸山;杨荟茹;刘起鹏;张国旗 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;C09K13/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 潘登 |
| 地址： | 518055 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明提出了一种单片层间通孔的制备方法。所述单片层间通孔的制备方法包括以下步骤：(1)掩膜图形的制备：将硅片依次进行旋涂、前烘、曝光、显影和坚膜；(2)去氧化层预处理：将形成掩膜图形的硅片置于酸溶液中浸泡，除去硅片表面氧化的SiO |
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| 搜索关键词： | 一种 单片 层间通孔 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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