[发明专利]光导型全硅基日盲紫外探测器及其制作方法

摘要

本发明提供一种光导型全硅基日盲紫外探测器及其制作方法，属于光电探测领域，光导型全硅基日盲紫外探测器包括：硅基底，所述硅基底为P型晶硅或本征晶硅，被配置为载流子传输层；非晶掺氧氮化硅薄膜，形成于所述硅基底表面，被配置为紫外光吸收层以产生载流子；叉指状电极，形成于所述非晶掺氧氮化硅薄膜表面。本发明的日盲紫外探测器采用发光的宽禁带非晶掺氧氮化硅(a‑SiNx:O)薄膜作为紫外光吸收层，以P型晶硅(p‑Si)或本征晶硅(i‑Si)作为载流子传输层，构建的光导型全硅基日盲紫外探测器不仅成本低廉，而且能与成熟的CMOS制造工艺相兼容，从而实现大面积生产。