[发明专利]一种抑制闩锁效应的CMOS集成电路芯片及制备工艺在审
| 申请号： | 202110663159.1 | 申请日： | 2021-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN113410232A | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 任永宁;刘如征;杨永峰;葛洪磊;刘存生;刘依思;李钊 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L29/10;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 马贵香 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供一种抑制闩锁效应的CMOS集成电路芯片及制备工艺，包括N型衬底，N型衬底的上表面埋有N埋层和P埋层，N型衬底向上延伸有N型外延层，N型外延层覆盖N埋层和P埋层，P埋层上设有P阱。本发明对于CMOS集成电路，在N型衬底上形成N埋层和P埋层，再进行外延工艺，通过埋层与外延工艺，能降低衬底的寄生电阻R1、R2，降低了寄生晶体管NPN、PNP的电流增益，提高闩锁效应的触发电流阈值及降低寄生晶体管的电流增益，抑制闩锁效应的发生更为有效。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 抑制 效应 cmos 集成电路 芯片 制备 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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