[发明专利]基片处理装置在审
| 申请号： | 202110665753.4 | 申请日： | 2021-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN113838773A | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 泽地淳;广瀬润;西嶋拓哉;曾根一朗;佐藤优 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;刘芃茜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够容易地维护腔室的基片处理装置，该腔室规定在其中进行对基片的处理的基片处理空间。本发明的基片处理装置包括第一腔室、基片支承器、致动器、第二腔室和至少一个固定器具。基片支承器和第二腔室配置在第一腔室的内部空间内。致动器使基片支承器在第一位置与第二位置之间移动。在基片支承器处于第一位置时，第二腔室与基片支承器一起规定基片处理空间。在基片支承器处于第二位置时，能够经由第一腔室的开口在第一腔室的内部空间与外部之间运送第二腔室。至少一个固定器具在第一腔室的内部空间中将第二腔室可解除地固定在第一腔室。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
