[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法、显示面板在审
| 申请号： | 202110665949.3 | 申请日： | 2021-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN113394299A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 吴昊;关峰;吕杨;赵梦;宋梦亚;李超;杜建华;王超璐 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L29/10;H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 张筱宁;宋海斌 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供了一种薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法、显示面板。在本申请实施例提供的薄膜晶体管中，有源结构包括具有第一设计尺寸的硅纳米线，在薄膜晶体管的制备过程中，硅纳米线可由具有设计直径的引导颗粒的引导下形成，通过改变引导颗粒的设计直径，可以制备得到具有相应设计尺寸的硅纳米线。因此，能够避免使用掩模工艺制备硅纳米线，从而能够降低薄膜晶体管的生产成本。而且，相较于现有的有源结构，硅纳米线具有载流子迁移率高、均匀性高的特点，从而能够提高薄膜晶体管的性能，能够降低薄膜晶体管的功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 及其 制备 方法 显示 面板 | ||
【主权项】：
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