[发明专利]高纯相多层V2在审

专利信息
申请号: 202110667394.6 申请日: 2021-06-16
公开(公告)号: CN113401905A 公开(公告)日: 2021-09-17
发明(设计)人: 高红;张训鹏;肖钧鹏;姚静;马新志 申请(专利权)人: 哈尔滨师范大学
主分类号: C01B32/914 分类号: C01B32/914;H01M4/587;H01M10/0525
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 李红媛
地址: 150080 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 高纯相多层V2C材料的制备方法及其应用,本发明涉及一种制备高纯相多层V2C材料的方法,本发明是要解决现有用HF溶液刻蚀的多层V2C纯度较低,合成方法比较繁琐的问题。制备方法:一、将0.6~1g V2AlC粉体放入40~60mL质量浓度为30%~50%的HF水溶液中,在室温下搅拌反应240~288小时,得到反应液;二、将反应液采用离心机在5000r/min~12000r/min下进行反复离心,离心清洗直至上清液的pH值为5~7,收集固相沉淀物;三、对固相沉淀物进行干燥处理。本发明控制反应时间和酸量使得化学反应进行的更加活跃和完全,制成负极,表现出高比容量、循环稳定和长寿命等优点。
搜索关键词: 高纯 多层 base sub
【主权项】:
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