[发明专利]氮化镓和石墨烯混合集成光电芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 202110669326.3 | 申请日： | 2021-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN113410192B | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 伊晓燕;林辰;詹腾;刘志强;王军喜;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373;H01L23/492;H01L25/16;H01L29/872;H01L23/64;H01L33/00;H01L21/329 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 鄢功军 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓和石墨烯混合集成光电芯片及其制备方法，该光电芯片包括芯片主体和覆盖在芯片主体上的钝化层；芯片主体包括衬底，第一线圈金属层、肖特基二极管、发光二极管、电容下电极金属层、底金属层、肖特基接触金属层均设置在衬底上；肖特基接触金属层延伸至肖特基二极管上表面；电容下电极金属层延伸至肖特基二极管表面；电容下电极金属层与电容上电极金属层之间设置第一介质隔离层；电容上电极金属层延伸至发光二极管上表面；底金属层延伸至发光二极管的上表面；衬底上的底金属层上设置第二介质隔离层；第二线圈金属层设置在第二介质隔离层上，并与底金属层连接；第一线圈金属层、电容上电极金属层、底金属层、第二线圈金属层上均设置石墨烯层。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 石墨 混合 集成 光电 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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