[发明专利]一种IGBT导通损耗测试电路及系统在审

专利信息
申请号: 202110671821.8 申请日: 2021-06-17
公开(公告)号: CN113203932A 公开(公告)日: 2021-08-03
发明(设计)人: 于圣慧;姜明宝 申请(专利权)人: 吉林华微电子股份有限公司
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26
代理公司: 成都极刻智慧知识产权代理事务所(普通合伙) 51310 代理人: 唐维虎
地址: 132000 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 本申请公开了一种IGBT导通损耗测试电路及系统,包括:脉冲信号单元、驱动单元、开关速度调节单元、待测单元、钳位电路和测试单元;脉冲信号单元与驱动单元的一端连接,驱动单元的另一端与开关速度调节单元连接,开关速度调节单元的另一端与待测单元连接,待测单元的另一端与钳位电路连接;脉冲信号单元用于提供脉冲信号;驱动单元用于将放大后的脉冲信号通过开关速度调节单元传输至待测单元以驱动待测单元;开关速度调节单元用于控制待测单元的导通速度和关断速度;钳位电路用于提供待测单元的低压检测环境;测试单元与待测单元和钳位电路连接,测试单元用于测试待测单元的导通损耗,通过上述设置,能够准确地获取待测单元的导通损耗。
搜索关键词: 一种 igbt 损耗 测试 电路 系统
【主权项】:
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