[发明专利]一种低损耗理想二极管在审
| 申请号： | 202110673469.1 | 申请日： | 2021-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN113285616A | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 涂才根;张胜;谭在超;罗寅;丁国华 | 申请（专利权）人： | 苏州锴威特半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H02M7/217 | 分类号： | H02M7/217;H02M3/07;H02M1/08 |
| 代理公司： | 南京众联专利代理有限公司 32206 | 代理人： | 郭微 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低损耗理想二极管,所述二极管包括控制IC、电荷泵电容C1、增强型MOSFET，整个整流系统器件极少，非常利于缩小整体应用方案的体积，控制IC的电源管脚VIN连接增强型MOSFET的源端，并作为整流器的阳极，控制IC的电荷泵引脚CPO通过电容C1连接MOSFET的源端，控制IC的驱动管脚Gate连接增强型MOSFET的栅端，控制IC的管脚OUT连接MOSFET的漏端，为整流器的阴极和输出，该低损耗理想二极管外围简洁、功耗可控的低损耗二极管,降低整流器功耗，简化布板，缩小整体方案体积，符合高能效、高功率密度的发展趋势，在应用上无需散热装置。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 损耗 理想 二极管 | ||
【主权项】：
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