[发明专利]一种卷叶墙藓的人工扩繁用培养基及人工扩繁方法在审
申请号: | 202110674151.5 | 申请日: | 2021-06-17 |
公开(公告)号: | CN113273494A | 公开(公告)日: | 2021-08-20 |
发明(设计)人: | 赵东平;杨倩;王丽红;王丹 | 申请(专利权)人: | 内蒙古大学 |
主分类号: | A01H4/00 | 分类号: | A01H4/00 |
代理公司: | 北京力量专利代理事务所(特殊普通合伙) 11504 | 代理人: | 毛婷 |
地址: | 010021 内蒙古自*** | 国省代码: | 内蒙古;15 |
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摘要: |
本发明属于苔藓植物扩繁培养技术领域,具体涉及一种卷叶墙藓的人工扩繁用培养基及人工扩繁方法。首先,本发明提供了一种卷叶墙藓的人工扩繁用培养基,所述培养基以Beneck培养基为基础培养基,以蔗糖为碳源,添加植物激素IBA或2,4‑D 0.5‑2.5mg/L、琼脂8‑10g/L制成。其次,本发明提供了一种卷叶墙藓的人工扩繁方法,包括:(1)用0.05‑0.1%HgCl |
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搜索关键词: | 一种 卷叶墙藓 人工 扩繁用 培养基 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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