[发明专利]一种卷叶墙藓的人工扩繁用培养基及人工扩繁方法在审

专利信息
申请号: 202110674151.5 申请日: 2021-06-17
公开(公告)号: CN113273494A 公开(公告)日: 2021-08-20
发明(设计)人: 赵东平;杨倩;王丽红;王丹 申请(专利权)人: 内蒙古大学
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00
代理公司: 北京力量专利代理事务所(特殊普通合伙) 11504 代理人: 毛婷
地址: 010021 内蒙古自*** 国省代码: 内蒙古;15
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摘要: 发明属于苔藓植物扩繁培养技术领域,具体涉及一种卷叶墙藓的人工扩繁用培养基及人工扩繁方法。首先,本发明提供了一种卷叶墙藓的人工扩繁用培养基,所述培养基以Beneck培养基为基础培养基,以蔗糖为碳源,添加植物激素IBA或2,4‑D 0.5‑2.5mg/L、琼脂8‑10g/L制成。其次,本发明提供了一种卷叶墙藓的人工扩繁方法,包括:(1)用0.05‑0.1%HgCl2对卷叶墙藓外植体表面进行处理;(2)将消毒处理后的卷叶墙藓外植体接种在所述的培养基上进行培养。本发明填补现有技术中卷叶墙藓配子体扩繁技术领域的空白,实现了人工大量快速扩繁卷叶墙藓配子体,为卷叶墙藓生物学特性研究奠定了基础。
搜索关键词: 一种 卷叶墙藓 人工 扩繁用 培养基 方法
【主权项】:
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